SI4490DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2288475-SI4490DY-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4490DY-T1-E3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 2.85A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI4490 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.85A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.56W (Ta) | |
| Outros nomes | SI4490DYT1E3 SI4490DY-T1-E3TR SI4490DY-T1-E3CT SI4490DY-T1-E3DKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FDS2734onsemi
AON6264EAlpha & Omega Semiconductor Inc.- AONS66612Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- FDS2672onsemi
SI4490DY-T1-GE3Vishay Siliconix
IRF7820TRPBFInfineon Technologies
