IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Número da pe?a NOVA:
312-2290096-IRF5801TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF5801TRPBF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Micro6™(TSOP-6) | |
| Número do produto base | IRF5801 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 360mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 88 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | IRF5801TRPBFTR IRF5801TRPBFDKR IRF5801TRPBFCT IRF5801TRPBF-ND SP001570104 |
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