NTZS3151PT1G
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Número da pe?a NOVA:
312-2264846-NTZS3151PT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTZS3151PT1G
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-563 | |
| Número do produto base | NTZS3151 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 860mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 950mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-563, SOT-666 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 458 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 170mW (Ta) | |
| Outros nomes | NTZS3151PT1GOSTR NTZS3151PT1GOSCT ONSONSNTZS3151PT1G NTZS3151PT1GOSDKR 2156-NTZS3151PT1G-OS |
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