IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Número da pe?a NOVA:
312-2288166-IPD80P03P4L07ATMA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD80P03P4L07ATMA2
Embalagem padr?o:
2,500
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número do produto base | IPD80P03 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | +5V, -16V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 88W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IPD80P03P4L07ATMA2CT 448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR SP002325740 448-IPD80P03P4L07ATMA2TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IPD068P03L3GATMA1Infineon Technologies- IPD80P03P4L07ATMA1Infineon Technologies
AOD21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.