BSC030N03MSGATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC030
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	21A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Outros nomes	BSC030N03MSG+F30INCT-ND BSC030N03MSG+F30INTR BSC030N03MSG+F30INTR-ND BSC030N03MSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC030N03MSGINTR-ND BSC030N03MSG+F30INDKR BSC030N03MSGATMA1CT BSC030N03MSGINTR BSC030N03MSG+F30 BSC030N03MSGINDKR-ND BSC030N03MSGINCT-ND BSC030N03MSGINDKR BSC030N03MSG+F30INDKR-ND BSC030N03MSG BSC030N03MSGXT BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND SP000311506 BSC030N03MSG+F30INCT BSC030N03MSGATMA1DKR BSC030N03MSGATMA1TR BSC030N03MSGINCT BSC030N03MS G

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