PMV100EPAR
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
Número da pe?a NOVA:
312-2284870-PMV100EPAR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMV100EPAR
Embalagem padr?o:
3,000
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
| Número do produto base | PMV100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 616 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 710mW (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-PMV100EPARDKR 934661097215 1727-PMV100EPARCT 1727-PMV100EPARTR |
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