IXTA36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2264587-IXTA36N30P
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTA36N30P
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 300 V 36A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263AA | |
| Número do produto base | IXTA36 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | PolarHT™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 300 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- RCJ220N25TLRohm Semiconductor
- IXFA38N30X3IXYS
- FDB38N30Uonsemi
- SQJQ466E-T1_GE3Vishay Siliconix




