IXFX32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2313468-IXFX32N100Q3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXFX32N100Q3
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PLUS247™-3 | |
| Número do produto base | IXFX32 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HiPerFET™, Q3 Class | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 32A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 8mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9940 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1250W (Tc) | |
| Outros nomes | -IXFX32N100Q3 |
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