TPH3206PSB

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GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2273356-TPH3206PSB

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

TPH3206PSB

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 16A (Tc) 81W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Transphorm
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	TPH3206
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.2 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±18V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	720 pF @ 480 V
Dissipação de energia (máx.)	81W (Tc)