XP263N1001TR-G
MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2284999-XP263N1001TR-G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
XP263N1001TR-G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Torex Semiconductor Ltd | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23 | |
| Número do produto base | XP263 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 400mW (Ta) | |
| Outros nomes | 893-XP263N1001TR-GTR 893-XP263N1001TR-GCT 893-XP263N1001TR-GDKR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CMPDM7002AHC TR PBFREECentral Semiconductor Corp
DMN6140L-7Diodes Incorporated- 2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
2N7002KMDD
IRLML2060TRPBFInfineon Technologies
XP262N7002TR-GTorex Semiconductor Ltd- 2N7002ADiotec Semiconductor
- SI2310B-TPMicro Commercial Co
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor Corporation- SQ2362ES-T1_GE3Vishay Siliconix
DMN6140L-13Diodes Incorporated- MMFTN170Diotec Semiconductor
