FDS4435BZ

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MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Número da pe?a NOVA:

312-2281110-FDS4435BZ

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDS4435BZ

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

P-Channel 30 V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	FDS4435
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.8A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±25V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1845 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Outros nomes	FDS4435BZTR 2156-FDS4435BZ-OS FDS4435BZDKR FDS4435BZCT FAIFSCFDS4435BZ