BSC009NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2281799-BSC009NE2LSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC009NE2LSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 41A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Número do produto base | BSC009 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 41A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC009NE2LSATMA1DKR BSC009NE2LSCT-ND BSC009NE2LS-ND BSC009NE2LSATMA1TR BSC009NE2LSATMA1CT BSC009NE2LS SP000893362 BSC009NE2LSCT BSC009NE2LSDKR BSC009NE2LSDKR-ND BSC009NE2LSTR-ND |
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