2SK2009TE85LF
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Número da pe?a NOVA:
312-2285062-2SK2009TE85LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
2SK2009TE85LF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-59-3 | |
| Número do produto base | 2SK2009 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 50MA, 2.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF @ 3 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 200mW (Ta) | |
| Outros nomes | 2SK2009TE85LFCT 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR 2SK2009TE85LFDKR |
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