BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2282873-BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC030P03NS3GAUMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número do produto base | BSC030 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 25.4A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 345µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 186 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC030P03NS3GAUMA1TR BSC030P03NS3 GCT-ND BSC030P03NS3 GDKR BSC030P03NS3 GDKR-ND BSC030P03NS3 GCT BSC030P03NS3G BSC030P03NS3 G-ND BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3 GTR-ND BSC030P03NS3GAUMA1DKR SP000442470 BSC030P03NS3GAUMA1CT |
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