BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2281508-BSS314PEH6327XTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSS314PEH6327XTSA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT23 | |
| Número do produto base | BSS314 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 294 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | BSS314PE H6327CT-ND BSS314PEH6327XTSA1CT BSS314PEH6327XTSA1TR BSS314PE H6327DKR BSS314PEH6327XTSA1DKR BSS314PE H6327CT BSS314PE H6327-ND BSS314PE H6327DKR-ND SP000928944 BSS314PE H6327 BSS314PE H6327TR-ND BSS314PEH6327 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
BSS308PEH6327XTSA1Infineon Technologies- BSS316NH6327XTSA1Infineon Technologies
MAX17048G+T10Analog Devices Inc./Maxim Integrated- SI2319DS-T1-E3Vishay Siliconix
BSS214NWH6327XTSA1Infineon Technologies
BC857BW-7-FDiodes Incorporated- FDN352APonsemi
ZXMP3A13FTADiodes Incorporated- ISS55EP06LMXTSA1Infineon Technologies
EPC2033EPC- FDV301Nonsemi
