FDFS2P106A

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MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Número da pe?a NOVA:

312-2288054-FDFS2P106A

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDFS2P106A

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	FDFS2P106
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 10 V
Recurso FET	Schottky Diode (Isolated)
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	714 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	900mW (Ta)
Outros nomes	FDFS2P106ATR FDFS2P106A_NLCT-ND FDFS2P106ADKR FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ACT FDFS2P106ACT-NDR FDFS2P106A_NLCT FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106ATR-NDR