BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Número da pe?a NOVA:
312-2285391-BSS192PH6327FTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSS192PH6327FTSA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT89 | |
| Número do produto base | BSS192 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-243AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 250 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 104 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
| Outros nomes | BSS192PH6327FTSA1CT SP001047642 BSS192PH6327FTSA1TR BSS192PH6327FTSA1DKR |
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