C3M0160120J
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Número da pe?a NOVA:
312-2264930-C3M0160120J
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0160120J
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 17A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263-7 | |
| Número do produto base | C3M0160120 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | C3M™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 17A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208mOhm @ 8.5A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 2.33mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +15V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 632 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 90W (Tc) | |
| Outros nomes | 1697-C3M0160120J |
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