SCTWA90N65G2V

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Número da pe?a NOVA:

312-2297758-SCTWA90N65G2V

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SCTWA90N65G2V

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	STMicroelectronics
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-247 Long Leads
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	119A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+22V, -10V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3380 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	565W (Tc)
Outros nomes	497-SCTWA90N65G2V