IXTA3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Número da pe?a NOVA:
312-2289831-IXTA3N120
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTA3N120
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-263AA | |
| Número do produto base | IXTA3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5Ohm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 200W (Tc) | |
| Outros nomes | Q2023873 IXTA3N120-NDR |
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