SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
Número da pe?a NOVA:
312-2296347-SI2387DS-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2387DS-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 395 pF @ 40 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SI2387DS-T1-GE3CT 742-SI2387DS-T1-GE3TR 742-SI2387DS-T1-GE3DKR |
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