SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Número da pe?a NOVA:
312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIS176LDN-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 70 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1660 pF @ 35 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT |
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