IPB065N15N3GATMA1

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Número da pe?a NOVA:

312-2263488-IPB065N15N3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB065N15N3GATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-7
Número do produto base	IPB065
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	130A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	150 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7300 pF @ 75 V
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Outros nomes	IPB065N15N3GATMA1CT SP000521724 IPB065N15N3GATMA1TR IPB065N15N3 GCT IPB065N15N3 GDKR IPB065N15N3 G IPB065N15N3 GCT-ND IPB065N15N3 GTR-ND IPB065N15N3G IPB065N15N3 G-ND IPB065N15N3GATMA1DKR IPB065N15N3 GDKR-ND