SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Número da pe?a NOVA:
312-2282632-SPD08P06PGBTMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SPD08P06PGBTMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | SPD08P06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8.83A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6.2V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 10A, 6.2V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 42W (Tc) | |
| Outros nomes | SPD08P06PGBTMA1DKR SPD08P06PGINDKRINACTIVE SPD08P06PGINCT SP000096087 SPD08P06PG 2156-SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGBTMA1CT SPD08P06PGINDKR SPD08P06PGINTR-ND SPD08P06P G INFINFSPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGINCT-ND SP000450534 SPD08P06PGINTR SPD08P06PGXT SPD08P06PGINDKR-ND SPD08P06PGINTRINACTIVE SPD08P06P G-ND SPD08P06PGBTMA1TR SPD08P06PGINCTINACTIVE |
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