CSD13302W
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Número da pe?a NOVA:
312-2265236-CSD13302W
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
CSD13302W
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-DSBGA (1x1) | |
| Número do produto base | CSD13302 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | NexFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.1mOhm @ 1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-UFBGA, DSBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 862 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) | |
| Outros nomes | CSD13302W-ND 2156-CSD13302W TEXTISCSD13302W 296-48118-6 296-48118-1 296-48118-2 |
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