SSM6K518NU,LF
MOSFET N-CH 20V 6A 6UDFNB
Número da pe?a NOVA:
312-2279349-SSM6K518NU,LF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM6K518NU,LF
Embalagem padr?o:
3,000
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-UDFNB (2x2) | |
| Número do produto base | SSM6K518 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.25W (Ta) | |
| Outros nomes | 264-SSM6K518NULFTR 264-SSM6K518NULFDKR 264-SSM6K518NULFCT |
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