TN0620N3-G-P002
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Número da pe?a NOVA:
312-2291276-TN0620N3-G-P002
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TN0620N3-G-P002
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
| Número do produto base | TN0620 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 250mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) | |
| Outros nomes | TN0620N3-G-P002CT TN0620N3-G-P002-ND TN0620N3-G-P002TR TN0620N3-G-P002DKRINACTIVE TN0620N3-G-P002DKR-ND TN0620N3-G-P002DKR |
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