DN3765K4-G

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.mst-lazy {display:none;}

MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2264345-DN3765K4-G

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

DN3765K4-G

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Microchip Technology
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252-3
Número do produto base	DN3765
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	300mA (Tj)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Recurso FET	Depletion Mode
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	825 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta)
Outros nomes	DN3765K4-GTR DN3765K4-GDKR DN3765K4-GCT DN3765K4-G-ND