IPB057N06NATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3
Número do produto base	IPB057
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	17A (Ta), 45A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 36µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Outros nomes	IPB057N06N-ND IPB057N06NATMA1DKR IPB057N06NCT IPB057N06NDKR-ND IPB057N06NATMA1CT IPB057N06N IPB057N06NDKR IPB057N06NATMA1TR IPB057N06NCT-ND IPB057N06NTR-ND SP000962140 IPB057N06NTR

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