SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Número da pe?a NOVA:
312-2283943-SCTW100N65G2AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCTW100N65G2AG
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Through Hole HiP247™
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | HiP247™ | |
| Número do produto base | SCTW100 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 162 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3315 pF @ 520 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 420W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-SCTW100N65G2AG |
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