NVJS4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Número da pe?a NOVA:
312-2280348-NVJS4151PT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NVJS4151PT1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Número do produto base | NVJS4151 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 2.9A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.2W (Ta) | |
| Outros nomes | NVJS4151PT1GOSCT NVJS4151PT1G-ND NVJS4151PT1GOSDKR ONSONSNVJS4151PT1G NVJS4151PT1GOSTR 2156-NVJS4151PT1G-OS |
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