STS8N6LF6AG
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2291241-STS8N6LF6AG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STS8N6LF6AG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | STS8N6 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1340 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta) | |
| Outros nomes | 497-17150-1 497-17150-6 497-17150-2 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI4436DY-T1-GE3Vishay Siliconix