SI2324DS-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número do produto base	SI2324
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.3A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	234mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Outros nomes	SI2324DS-T1-GE3DKR SI2324DS-T1-GE3CT SI2324DS-T1-GE3TR SI2324DS-T1-GE3-ND

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