SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
Número da pe?a NOVA:
312-2264608-SSM3J56ACT,L3F
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM3J56ACT,L3F
Embalagem padr?o:
10,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | CST3 | |
| Número do produto base | SSM3J56 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 500mW (Ta) | |
| Outros nomes | SSM3J56ACTL3FDKR SSM3J56ACTL3FTR SSM3J56ACTL3FCT SSM3J56ACT,L3F(T SSM3J56ACT,L3F(B |
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