SIAA02DJ-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SC-70-6
Número do produto base	SIAA02
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SC-70-6
Vgs (Máx.)	+12V, -8V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Outros nomes	742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR

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