IPD25N06S4L30ATMA2

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD25N06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16.3 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1220 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	29W (Tc)
Outros nomes	IPD25N06S4L30ATMA2TR IPD25N06S4L30ATMA2-ND 2156-IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25N06S4L30ATMA2DKR SP001028636 IPD25N06S4L30ATMA2CT IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2

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