SI4435DYTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2280352-SI4435DYTRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4435DYTRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
| Número do produto base | SI4435 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2320 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta) | |
| Outros nomes | SI4435DYPBFTR SI4435DYPBFCT SI4435DYPBFDKR SP001573756 *SI4435DYTRPBF |
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