IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Número da pe?a NOVA:
312-2283613-IPT111N20NFDATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPT111N20NFDATMA1
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-HSOF-8-1 | |
| Número do produto base | IPT111 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 96A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
| Outros nomes | IPT111N20NFDATMA1TR IPT111N20NFDATMA1DKR IPT111N20NFDATMA1CT SP001340384 IPT111N20NFDATMA1-ND |
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