IRF40R207
MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2285482-IRF40R207
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF40R207
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 56A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3 | |
| Número do produto base | IRF40R207 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 56A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 50µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2110 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 83W (Tc) | |
| Outros nomes | IRF40R207CT SP001564382 IRF40R207DKR IRF40R207TR IRF40R207-ND |
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