IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2281997-IRLML6302TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRLML6302TRPBF
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Micro3™/SOT-23 | |
| Número do produto base | IRLML6302 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 780mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 97 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 540mW (Ta) | |
| Outros nomes | IRLML6302GTRPBF SP001574060 IRLML6302PBFDKR *IRLML6302TRPBF IRLML6302GTRPBFCT IRLML6302GTRPBFTR IRLML6302GTRPBFTR-ND IRLML6302GTRPBF-ND IRLML6302PBFTR SP001550492 IRLML6302GTRPBFCT-ND IRLML6302PBFCT |
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