TPW1R306PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2282848-TPW1R306PL,L1Q
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPW1R306PL,L1Q
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-DSOP Advance | |
| Número do produto base | TPW1R306 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSIX-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 260A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8100 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) | |
| Outros nomes | TPW1R306PLL1QCT TPW1R306PLL1QDKR TPW1R306PLL1QTR TPW1R306PL,L1Q(M |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TPH1R306P1,L1QToshiba Semiconductor and Storage- TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
INA168NA/3KTexas Instruments
FDMC007N08LCDConsemi
TPWR6003PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
BSC014N06NSSCATMA1Infineon Technologies
AUIR3241STRInfineon Technologies
TPW1R005PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IRLML9301TRPBFInfineon Technologies
