PMCM6501VPEZ
MOSFET P-CH 12V 6.2A 6WLCSP
Número da pe?a NOVA:
312-2272400-PMCM6501VPEZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMCM6501VPEZ
Embalagem padr?o:
4,500
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 6.2A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WLCSP (1.48x0.98) | |
| Número do produto base | PMCM6501 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-XFBGA, WLCSP | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 556mW (Ta), 12.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-2689-1 568-13208-2 1727-2689-2 568-13208-1 568-13208-6 568-13208-2-ND 568-13208-1-ND 1727-2689-6 934068875023 PMCM6501VPEZ-ND 568-13208-6-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- W25X20CLUXIG TRWinbond Electronics
- LSF0102YZTRTexas Instruments
- TCK206G,LFToshiba Semiconductor and Storage
- CSD17484F4TTexas Instruments
- XFP236156.250000IRenesas Electronics America Inc






