IPD30N03S2L20ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31
Número da pe?a NOVA:
312-2294437-IPD30N03S2L20ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPD30N03S2L20ATMA1
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO252-3-11 | |
| Número do produto base | IPD30N03 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 30A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 23µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 60W (Tc) | |
| Outros nomes | SP000254466 2156-IPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L-20-ND IPD30N03S2L20ATMA1CT IPD30N03S2L20ATMA1TR INFINFIPD30N03S2L20ATMA1 IPD30N03S2L20ATMA1DKR IPD30N03S2L-20 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IPD50N04S4L08ATMA1Infineon Technologies
TLE94106ESXUMA1Infineon Technologies- IPD90N04S404ATMA1Infineon Technologies
SI53340-B-GMRSkyworks Solutions Inc.
SI8244BB-D-IS1RSkyworks Solutions Inc.
SI3019-F-FTRSkyworks Solutions Inc.- IPD90N04S405ATMA1Infineon Technologies
TLE82422LXUMA2Infineon Technologies
TLE6240GPAUMA1Infineon Technologies
TLE75008ESDXUMA1Infineon Technologies
