SQJ140EP-T1

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SQJ140EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 266A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2272431-SQJ140EP-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJ140EP-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

N-Channel 40 V 266A (Tc) 263W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SQJ140
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	266A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3855 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	263W (Tc)
Outros nomes	742-SQJ140EP-T1_GE3DKR 742-SQJ140EP-T1_GE3CT 742-SQJ140EP-T1_GE3TR