SIR186LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Número da pe?a NOVA:
312-2285666-SIR186LDP-T1-RE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIR186LDP-T1-RE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® SO-8 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Ta), 57W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SIR186LDP-T1-RE3CT 742-SIR186LDP-T1-RE3DKR 742-SIR186LDP-T1-RE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SIJ462ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
DMT6005LPS-13Diodes Incorporated
QBL8RGB60D0-2897QT Brightek (QTB)
SIJ186DP-T1-GE3Vishay Siliconix
ESP32-WROVER-B (4MB)Espressif Systems
BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
SIR626ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
ESP32-WROVER-E (16MB)Espressif Systems
SSM3J15FS,LFToshiba Semiconductor and Storage
DMG2302U-7Diodes Incorporated- SIR184DP-T1-RE3Vishay Siliconix