NP36P06SLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2304804-NP36P06SLG-E1-AY
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NP36P06SLG-E1-AY
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 36A (Tc) 1.2W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252 (MP-3ZK) | |
| Número do produto base | NP36P06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 36A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 18A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3200 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) | |
| Outros nomes | -1161-NP36P06SLG-E1-AYCT 559-NP36P06SLG-E1-AYDKR 559-NP36P06SLG-E1-AYCT 559-NP36P06SLG-E1-AYTR NP36P06SLG-E1-AY-ND |
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