VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Número da pe?a NOVA:
312-2276397-VN10KN3-G-P002
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
VN10KN3-G-P002
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
| Número do produto base | VN10KN3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 310mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) | |
| Outros nomes | VN10KN3-G-P002CT VN10KN3-G-P002DKR VN10KN3-G-P002TR VN10KN3-G-P002DKR-ND VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE VN10KN3-G-P002-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
VN10KC-T1Siliconix
2N7000TAonsemi- 2N7000-D74Zonsemi
VN2222LL-GMicrochip Technology- TN0106N3-GMicrochip Technology
- VN2106N3-GMicrochip Technology
- VN10KN3-GMicrochip Technology
2N7000NTE Electronics, Inc- ZVN3306ADiodes Incorporated
- VN10LPDiodes Incorporated
