SISS10ADN-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base	SISS10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	31.7A (Ta), 109A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Máx.)	+20V, -16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3030 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Outros nomes	SISS10ADN-T1-GE3TR SISS10ADN-T1-GE3CT SISS10ADN-T1-GE3DKR

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