TPC8129,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Número da pe?a NOVA:
312-2300768-TPC8129,LQ(S
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPC8129,LQ(S
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOP | |
| Número do produto base | TPC8129 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 200µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | +20V, -25V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1650 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
| Outros nomes | TPC8129LQ(S TPC8129LQS |
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