SI3139KL3-TP
MOSFET P-CH 20V 660MA DFN1006-3
Número da pe?a NOVA:
312-2298724-SI3139KL3-TP
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI3139KL3-TP
Embalagem padr?o:
10,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 660mA (Ta) 100mW Surface Mount DFN1006-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Micro Commercial Co | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DFN1006-3 | |
| Número do produto base | SI3139 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 660mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 150mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 113 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 100mW | |
| Outros nomes | 353-SI3139KL3-TPTR |
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